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北京天科合达半导体股份有限公司
2~6英寸 4H半绝缘碳化硅单晶衬底
材料参数

材料中文名称:2~6英寸 4H半绝缘碳化硅单晶衬底

材料英文名称(缩写):2~6 inch 4H-SI SiC

产业分类:关键战略材料

材料功能分类:其它/人工晶体

感官特性:视觉:无色透明;触觉:固体;听觉:无;嗅觉:无味;

形态:片状

适用工艺:多线切割, 双面研磨,单面抛光,化学机械抛光

开发阶段:量产及设备化阶段

材料信息

碳化硅是C元素和Si元素形成的化合物,目前已发现的碳化硅同质异型晶体结构有200多种,其中六方结构的4H型SiC(4H-SiC)具有高临界击穿电场、高电子迁移率的优势,是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料,是目前综合性能最好、技术最成熟的第三代半导体材料。半绝缘型SiC基器件是雷达、5G通信等尖端民用、军用、航天装备等领域急需的器件。

功能特性

禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速率大、临穿电场高、介电常数低及化学稳定性好。

材料应用领域

以半绝缘SiC为衬底的微波射频器件其输出功能密度是GaAs器件的10倍以上,工作频率可达到100GHz以上,可以显著提高雷达、通信、电子对抗以及智能武器的整体性能和可靠性。美军干扰机和宙斯盾驱逐舰的相控阵雷达已开始换装SiC基微波器件产品,军用市场将在未来几年推动SiC基微波器件的快速发展。随着市场从4G过渡到5G,5G基站的技术要求需要用SiC基氮化镓材料制作的射频器件才能满足。

材料&产品应用
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