碳化硅是C元素和Si元素形成的化合物，目前已发现的碳化硅同质异型晶体结构有200多种，其中六方结构的4H型SiC（4H-SiC）具有高临界击穿电场、高电子迁移率的优势，是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料，是目前综合性能最好、技术最成熟的第三代半导体材料。半绝缘型SiC基器件是雷达、5G通信等尖端民用、军用、航天装备等领域急需的器件。

禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速率大、临穿电场高、介电常数低及化学稳定性好。

以半绝缘SiC为衬底的微波射频器件其输出功能密度是GaAs器件的10倍以上，工作频率可达到100GHz以上，可以显著提高雷达、通信、电子对抗以及智能武器的整体性能和可靠性。美军干扰机和宙斯盾驱逐舰的相控阵雷达已开始换装SiC基微波器件产品，军用市场将在未来几年推动SiC基微波器件的快速发展。随着市场从4G过渡到5G，5G基站的技术要求需要用SiC基氮化镓材料制作的射频器件才能满足。