碳化硅是C元素和Si元素形成的化合物，目前已发现的碳化硅同质异型晶体结构有200多种，其中六方结构的4H型SiC（4H-SiC）具有高临界击穿电场、高电子迁移率的优势，是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料，是目前综合性能最好、技术最成熟的第三代半导体材料。导电型SiC单晶衬底是电力电子器件的重要基础支撑材料。可广泛应用于国民经济的各个领域， 如光伏发电、风力发电、新能源汽车、高铁、智能电网等。

禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速率大、临穿电场高、介电常数低及化学稳定性好。

LED器件衬底——亮度更高、能耗更低、寿命更长，用于制造高亮度LED ；电力电子器件——制作耐高压、高温、高频、大功率和高密度电力电子器件，能够适应更为苛刻的工作环境。与传统硅基器件相比，SiC基器件可大大降低能耗，提高电力使用效率，同时可降低电力系统赤瞳，提高系统运行可靠性并降低系统整机造价。SiC基器件已在SBD二极管应用上取得了巨大成功，各大公司也不断推出MOSFET、JFET、BJT，甚至IGBT等器件，可广泛应用于智能电网、新能源汽车、高速列车、风力发电等。