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北京天科合达半导体股份有限公司
2~6英寸 4H导电碳化硅单晶衬底
材料参数

材料中文名称:2~6英寸 4H导电碳化硅单晶衬底

材料英文名称(缩写):2~6 inch 4H-N SiC

产业分类:关键战略材料

材料功能分类:其它/人工晶体

感官特性:视觉:绿色透明 触觉:固体; 听觉:无; 嗅觉:无味;

形态:片状

适用工艺:多线切割, 双面研磨,单面抛光,化学机械抛光

开发阶段:量产及设备化阶段

材料信息

碳化硅是C元素和Si元素形成的化合物,目前已发现的碳化硅同质异型晶体结构有200多种,其中六方结构的4H型SiC(4H-SiC)具有高临界击穿电场、高电子迁移率的优势,是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料,是目前综合性能最好、技术最成熟的第三代半导体材料。导电型SiC单晶衬底是电力电子器件的重要基础支撑材料。可广泛应用于国民经济的各个领域, 如光伏发电、风力发电、新能源汽车、高铁、智能电网等。

功能特性

禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速率大、临穿电场高、介电常数低及化学稳定性好。

材料应用领域

LED器件衬底——亮度更高、能耗更低、寿命更长,用于制造高亮度LED ;电力电子器件——制作耐高压、高温、高频、大功率和高密度电力电子器件,能够适应更为苛刻的工作环境。与传统硅基器件相比,SiC基器件可大大降低能耗,提高电力使用效率,同时可降低电力系统赤瞳,提高系统运行可靠性并降低系统整机造价。SiC基器件已在SBD二极管应用上取得了巨大成功,各大公司也不断推出MOSFET、JFET、BJT,甚至IGBT等器件,可广泛应用于智能电网、新能源汽车、高速列车、风力发电等。

材料&产品应用
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